“充(chong)電5分鍾(zhong)，通話2小(xiao)時”，一個小小的充(chong)電頭，如(ru)何(he)具備這(zhe)樣(yang)神(shen)奇(qi)的能(neng)力？

近(jin)年(nian)來，隨著新能源汽(qi)車(che)、高鐵、量子通(tong)信等(deng)領域的崛(jue)起，金(jin)剛石(shi)、氧化镓(β-Ga2O3)、氮化(hua)鋁(lv)(AlN)等更具優勢的半(ban)導體(ti)材(cai)料(liao)引起(qi)了國內(nei)外學者的廣(guang)泛(fan)關(guan)注。

來源(yuan)：中國(guo)科學(xue)院上海(hai)光(guang)學精密(mi)機(ji)械(xie)研究所(suo)

氧(yang)化镓單(dan)晶是一(yi)種透明的氧化物材料，作為典(dian)型的新型超寬禁(jin)帶(dai)（Eg，導(dao)帶的最(zui)低能級(ji)和價(jia)帶的最高(gao)能級之間(jian)的能）半導體，它(ta)具(ju)有(you)優(you)於前(qian)幾(ji)代半導體材料的優良(liang)性能，以(yi)及(ji)相(xiang)對低廉的成(cheng)本。

在猫咪APP官方入口剛(gang)用上氮化镓（GaN，第三(san)代半導體材料）製成的充電(dian)頭時(shi)，科(ke)學家(jia)與產(chan)業界(jie)便已瞄(miao)準(zhun)更強的第(di)四代半導體材料：氧化镓（Ga2O3），它甚(shen)至(zhi)能超越(yue)“充電5分(fen)鍾，通話2小時”的神話，製造出(chu)更強的充電頭。

第四(si)代半導體材料中(zhong)，氧化镓最有希(xi)望成為繼(ji)第三代半導體碳化矽和氮化镓之(zhi)後(hou)，最具市場(chang)潛(qian)力的材料。

氧化镓有α、β、γ、ε和(he)δ這5種(zhong)同(tong)分異(yi)構體，其中β相氧化镓材料最為穩定，也(ye)是(shi)目前半導體界研究(jiu)最多，離應用(yong)最近的材料。

β相氧化镓晶體結(jie)構

其(qi)單晶具有很(hen)高的熱(re)穩(wen)定性和化學穩定性，且(qie)有高可(ke)見光和紫(zi)外光的透(tou)明(ming)度，是製造(zao)高溫(wen)高頻(pin)高功率(lv)微(wei)電子器(qi)件、日(ri)盲(mang)紫外光電探測(ce)器、紫外(wai)透明導電電極的極佳(jia)半導體材料。

此外，相較(jiao)於(yu)金剛石和氮化鋁受(shou)限(xian)於大(da)尺(chi)寸高質量單晶(jing)製備技(ji)術難(nan)以突(tu)破(po)的現狀(zhuang)，氧化镓單晶可以采(cai)用經(jing)濟高效的熔(rong)體法(fa)製(zhi)備(bei)技(ji)術(shu)進(jin)行單晶生長(zhang)，速(su)度(du)快(kuai)、成本(ben)低、成品率高。

與碳化矽(xi)、氮化镓相比(bi)，氧化镓的禁帶寬(kuan)度達(da)到了4.9eV，高於碳化矽的3.25eV和氮化镓的3.4eV，可在高低(di)溫、強輻(fu)射等極端(duan)環(huan)境下(xia)保(bao)持(chi)穩定(ding)的性質。

超高臨(lin)界擊穿(chuan)場強（8MV/cm）、較短(duan)的吸(xi)收截(jie)止邊及超(chao)強的透明導電性等優異的物(wu)理性能，更是使其製備的氧化镓器件可以在超高電壓(ya)下使用。

2012年，NICT（日本國立(li)信息(xi)通信(xin)技術研究所）開發出了世界首(shou)個單晶β-氧化镓場效應(ying)晶體管(guan)(MESFET)，其擊(ji)穿電壓達到250V以上。

達到(dao)這個裏(li)程(cheng)碑(bei)，氮化镓用了(le)近20年。

2015年，NICT和田(tian)村(cun)製作所合(he)作投(tou)資成立了氧化镓產業化企(qi)業NCT（Novel Crystal Technology）。

現(xian)在，這兩(liang)家企業是日本氧化镓研發的中堅(jian)企業，也是世(shi)界上(shang)唯(wei)二(er)兩家能夠(gou)量(liang)產氧化镓材料（單晶和外延(yan)）及器件的企業，整(zheng)個業界已(yi)經呈(cheng)現出“All Japan”的景(jing)象(xiang)。

2015年，日本推(tui)出高質量氧化镓單晶襯底，2016年又推出了同質外延片(pian)，此(ci)後，世界各國紛紛(fen)將目(mu)光投向(xiang)了氧化镓材料的器件研究。

2012年，美國空(kong)軍研究實驗(yan)室、美國海軍(jun)實(shi)驗(yan)室(shi)和美國宇航(hang)局(ju)，積(ji)極(ji)尋(xun)求(qiu)與美國高校(xiao)和全(quan)球(qiu)企業合作(zuo)，開(kai)發(fa)耐更高電壓、尺寸更小、更耐(nai)輻照的氧化镓功(gong)率器件(jian)。

2018年，美國紐約(yue)州立大學布(bu)法羅(luo)分校的研究團(tuan)隊(dui)製造了一個由5微米(mi)厚(hou)(一張(zhang)紙厚約100微米)的氧化镓製成的MOSFET，擊穿電壓為(wei)1,850 V，用於製造更小、更高效的電子(zi)係統(tong)。

雖然(ran)中國镓元素(su)儲量全球第三位(wei)，但(dan)直到2017年年底(di)，國內首家專業從(cong)事Ga2O3半導體材料開發及應用產業化的公司才(cai)誕生——北(bei)京(jing)镓族科技有限公(gong)司(si)。

氧化镓晶圓(yuan)   

圖(tu)片來(lai)源：浙(zhe)江大學、杭(hang)州(zhou)國際科創(chuang)中心(xin)

注(zhu)：晶圓按(an)直徑(jing)分為4英(ying)寸、6英(ying)寸、8英(ying)寸、12英(ying)寸等規格，芯(xin)片是從加(jia)工(gong)後的晶圓上切(qie)割(ge)下來的，但晶圓與芯片卻是一圓一方(fang)，因(yin)此晶圓越大才能切出更多(duo)完(wan)整的芯片。

國內中電科46所、上海光機所、複(fu)旦大學、南(nan)京大學、浙江(jiang)大學等研究機構，已開發出自(zi)主(zhu)知(zhi)識(shi)產權(quan)的生長技術，但最高隻能製造出到4英寸的晶圓，成熟度和穩定性還(hai)不及國外。

當下，市(shi)場對(dui)於氧化镓的渴(ke)望(wang)愈演(yan)愈(yu)烈(lie)。NCT預測氧化镓晶圓的市場到2030年度將(jiang)擴(kuo)大到約590億(yi)日元(yuan)（約合4.7億美元）規(gui)模。

市場調(diao)查公司富士(shi)經濟(ji)預測，2030年氧化镓功率元件的市場規模將會達到1542億日元（約合12.2億美元），比氮化镓功率元件的規模（約合8.6億美元）更大。在輻射(she)探(tan)測領(ling)域(yu)的傳(chuan)感(gan)器芯片和超大功率芯既(ji)然有著如此得(de)天獨(du)厚的資質(zhi)，為何氧化镓遲遲(chi)不(bu)能在市場上大展(zhan)拳腳(jiao)呢(ne)？其實，這是由(you)於氧化镓的大規模(mo)製備卡(ka)在了半路上。

隨(sui)著(zhu)研究深(shen)入(ru)和器件應用明朗(lang)，氧化镓的產業化也逐(zhu)漸(jian)走上康(kang)莊大道(dao)。

氧化镓的研究主要(yao)以應用為導向發展，被製成一定尺寸的晶圓，是氧化鉀(jia)投入產業化生產的關鍵點所在。

當(dang)然，人(ren)無完人，氧化镓也絕(jue)不是毫(hao)無(wu)缺(que)點(dian)的。相比於碳化矽和氮化镓，氧化镓的遷(qian)移率和導熱率低，因此導致設備性能下降；此外，氧化镓難以製造p型(xing)半導體，製成高性能器件難度很高。幸(xing)運(yun)的是，科研人員(yuan)在研究中發現，通過縮(suo)小體型、厚度，修改構(gou)型等方法，可以有效規避(bi)這些(xie)缺點，真(zhen)正讓(rang)氧化镓“揚(yang)長避短”。

總(zong)結

氧化镓比起以往(wang)的電子元件更有效(xiao)率，在晶圓價格(ge)方麵(mian)也比碳(tan)化矽等要更為低廉(lian)。

近十(shi)年內，氧化镓的進展，眼(yan)看離產業隻(zhi)差(cha)一步(bu)之遙(yao)。

碳化矽的發展用了40年。

循(xun)此足(zu)跡(ji)，先(xian)在市場門(men)檻(kan)較低的快充和工業電源領域落(luo)地(di)，後在汽車領域爆(bao)發，氧化镓的“出頭(tou)之日”必(bi)然也不遠(yuan)了。